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Samsung expects a nearly ninefold profit increase as AI memory demand drives chip prices higher, putting pressure on enterprise hardware budgets.
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Micron warns memory and storage supply will remain tight through 2028 as AI demand absorbs capacity, putting pressure on PC and server costs.
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Anthropic has made Claude for Government generally available with FedRAMP High authorization, spending controls, audit logs and early Microsoft 365 access.
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SK hynix approved about $38.1 billion for two memory fabs, but new HBM and NAND capacity may not ease AI-driven supply pressure until 2029.
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Apple is reportedly racing to secure DRAM for the iPhone 18 Pro and foldable iPhone as a memory shortage threatens to tighten launch supply.
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Chinese memory chip maker CXMT briefly became China's most valuable company after its Shanghai IPO, highlighting surging investor demand for AI memory chips.
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Google says rising memory costs will increase Pixel 11 prices as AI-driven demand reshapes the smartphone supply chain.
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Counterpoint says rising AI memory demand helped drive smartphone shipments to their weakest second quarter since 2013 as DRAM and NAND costs climbed.
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Rising DRAM and NAND prices are forcing Android phone makers to cut specs, raise prices, and rethink budget smartphones, according to Omdia.
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Un champignon shiitake qui fait office de mémoire informatique genre RAM, c'est la trouvaille d'une équipe de l'Ohio State University. Et l'idée a l'air bien plus sérieuse qu'elle n'en a l'air...
John LaRocco et Qudsia Tahmina ont pris du mycélium de shiitake, l'ont cultivé sur des graines de farro, du germe de blé et du foin, puis l'ont déshydraté. Après une brève réhydratation, ils ont ensuite branché le tout à un oscilloscope et un microcontrôleur Arduino et là, le champignon s'est mis à fonctionner comme un memristor , c'est-à-dire un composant capable de se souvenir de son dernier état électrique.
Utilisé comme RAM, leur champignon magique a tenu jusqu'à 5 850 Hz avec une précision de 90 %, et ça grimpe à 95 % en basse fréquence. La performance chute donc quand on monte en fréquence, sauf que les chercheurs ont trouvé la parade. Il suffit en réalité de connecter plusieurs champignons ensemble sur le circuit, un peu comme des groupes de neurones qui bossent en équipe dans votre cerveau.
Alors vous allez me dire quel est l'intérêt de ce truc ?
Eh bien un memristor-champignon, c'est biodégradable, ça résiste aux radiations, ça encaisse la déshydratation, et ça coûte une misère à fabriquer et à alimenter. Et surtout, avoir des puces biologiques qui imitent l'activité neuronale réelle, ça veut dire qu'on n'a plus besoin d'une tonne d'énergie quand la machine tourne au ralenti ou ne sert pas. De quoi intéresser l'informatique embarquée, l'aérospatial, les wearables ou tout ce qui doit calculer des trucs sans grosse batterie. Détail rigolo, une partie des travaux est financée par le Honda Research Institute !
Maintenant, accrochez-vous, parce qu'un paquet de médias vous ont vendu ce champignon comme LA solution à la pénurie mondiale de RAM mais faut se calmer ! L'étude publiée dans PLOS ONE ne parle jamais de pénurie, et encore moins de Samsung, SK Hynix ou Micron et ce rapprochement n'a pas été fait par les chercheurs, mais par les journalistes.
Donc non, ce champignon n'est pas pour le moment une option afin de contrer la pénurie de RAM. Parce que soyons clairs, 5 850 Hz c'est mignon, mais votre DDR5 tourne dans les gigahertz ! On n'est pas du tout sur le même ordre de grandeur, ce qui fait que ce bon vieux shiitake ne remplacera pas votre barrette. Il vise plutôt tout ce qui est calcul neuromorphique basse conso, et pas du tout le marché du gaming, hein ^^.
La pénurie de RAM de cette année n'a rien de fongique. En fait, les trois géants qui pèsent près de 90 % de la production mondiale ont réorienté leurs usines vers la HBM, une mémoire ultra-rapide que s'arrachent les accélérateurs IA. Résultat, les prix de la DRAM ont bondi d'environ 90 % au premier trimestre, Micron a carrément lâché le marché grand public, et une class action déposée en Californie soupçonne les fabricants de s'être entendus sur les tarifs. On est donc loin des champignons du potager. Maintenant, si le sujet du silicium fait maison vous parle, jetez quand même un œil à ce type qui fabrique de la RAM dans sa cabane .
Mais bon, quoi qu'il en soit, faire de l'informatique avec du vivant, c'est possible depuis un petit moment. On a déjà vu des neurones artificiels en bactéries discuter avec nos cellules, et c'est probablement une piste pour la décroissance forcée qui va bientôt nous arriver dans la gueule.
Bref, ce champignon ne remplacera pas votre DDR5 de sitôt mais un composant biodégradable qui fait des calculs tout en résistant aux radiations, cultivé sur du foin et financé par Honda, perso je trouve que c'est cool ^^.
Imaginez qu'à cause de cette putain de pénurie, vous vous mettiez à fabriquer votre propre RAM à la main dans votre cabane de jardin façon Heisenberg ? Hé bien c'est exactement ce que Dr. Semiconductor vient de réussir, et les 20 premières cellules DRAM de ce fou furieux fonctionnent ! Alors forcément, ça m'intéresse !
Le bonhomme a posté sa vidéo le 20 avril dernier et ça prend clairement une tournure virale dans le monde du hardware car ça donne de l'espoir et des idées à pas mal de makers. Il avait d'ailleurs déjà publié en mars une vidéo entière sur la construction de la cleanroom elle-même, donc ce n'est pas un coup d'éclat one-shot, mais une vraie série documentaire dans laquelle il s'est lancé.
En gros, il a transformé un abri de jardin en salle blanche de classe 100, construit l'essentiel de ses outils de fabrication à partir de rien, et gravé un array de 5 × 4 cellules de RAM avec des transistors de moins d'un micron de long. Du jamais vu à cette échelle chez un particulier !
La cabane de jardin reconvertie en cleanroom class 100
Alors pourquoi c'est dingue, cette histoire ?
Hé bien parce que la RAM, c'est dominé par trois entreprises qui pèsent des dizaines de milliards, à savoir Micron, Samsung et SK Hynix. Construire une usine moderne, ça coûte autour de 20 milliards de dollars et ça prend facile 4 à 5 ans. Du coup, quand l'IA se met à bouffer une grosse partie de la production disponible, les prix explosent ! Nombreux sont ceux qui ont renoncé à en acheter vu les tarifs actuels.
Mais qui sait, peut-être que maintenant qu'on sait que fabriquer sa propre RAM dans son garage, c'est possible, y'a des choses qui vont peut-être changer ?
Côté process, c'est du semi-conducteur comme à l'usine mais version DIY. Il part d'un wafer de silicium classique, le passe au four à 1100°C pour former une couche d'oxyde, applique de la résine photosensible et expose aux UV à travers des masques maison pour dessiner le motif, puis dope le silicium au phosphore (merci à Projects in Flight pour la technique), et finit par une couche d'aluminium pulvérisée au plasma pour les connexions. Un vrai process industriel miniaturisé, sauf que tout se passe à la maison.
Et ça donne quoi à la mesure ?
Hé bien son capaciteur affiche 12,3 picofarads, pile dans la fourchette qu'il avait calculée. Le transistor charge le capa à 3 volts en quelques centaines de nanosecondes, donc autant dire que c'est propre et net. Par contre, la rétention de charge c'est là où ça coince, avec environ 2 millisecondes avant que la cellule ne perde sa donnée, contre plus de 64 ms pour de la DRAM commerciale. Du coup faut rafraîchir plus souvent, mais ça tient bien.
Le CV plotter affiche 12,3 pF, pile dans la fourchette théorique
Comme le précise Dr. Semiconductor dans sa vidéo, pour l'instant on ne peut pas faire tourner Doom dessus. Avec 20 cellules vous stockez 20 bits, soit de quoi sauver deux octets et demi, donc bon, c'est pas foufou. Mais la preuve est faite qu'un particulier depuis chez lui, peut graver du silicium fonctionnel, et le plan maintenant c'est de combiner plusieurs arrays pour augmenter la capacité, et de connecter ça à un PC.
Perso, c'est le genre de démonstration technique qui se respecte ! Intel qui se passe de TSMC pour ses gammes basses, un fan qui ressuscite un Nokia N900 avec des supercondensateurs , et maintenant ce YouTubeur DIY qui fabrique de la RAM dans son abri de jardin alors que pendant ce temps, les géants de la mémoire nous vendent leurs puces au prix de l'or parce qu'ils ont le monopole... Ça bouge vite et à sa manière, Dr. Semiconductor ridiculise les géants , en montrant que le mur technologique est moins haut qu'on le croyait.
Voilà vous voulez voir les manips en vrai, les amis, je vous mets sa vidéo complète ça vaut vraiment le coup ! Faites chauffer le gros pouce bleu, il a un Patreon et ça reste un taf de dingue financé par ses abonnés.
A voir maintenant s'il arrive à relier correctement ses cellules pour faire tourner un truc dessus. A surveiller de près !
Apple’s $599 Mac mini is now sold out, with shortages spreading across configurations amid supply and demand pressures.
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La nouvelle série Netflix, qui met en scène la comédienne et chanteuse Jisoo, nous a offert une adorable romance inattendue. Pour continuer sur cette lancée, voici 5 dramas coréens comme Boyfriend on Demand, à découvrir en streaming.
Après avoir combattu des zombies dans Newtopia, la chanteuse et actrice Jisoo, membre du groupe Blackpink, va s'illustrer dans un genre très différent : la romance. Bande-annonce, casting, date de sortie... Voici tout ce que l'on sait sur Boyfriend on Demand, ce drama coréen bientôt disponible sur Netflix.
Samsung today has announced that they have developed an even faster generation of LPDDR5X memory that is set to top out at LPDDR5X-10700 speeds. The updated memory is slated to offer 25% better performance and 30% greater capacity compared to existing mobile DRAM devices from the company. The new chips also appear to be tangibly faster than Micron's LPDDR5X memory and SK hynix's LPDDR5T chips.
Samsung's forthcoming LPDDR5X devices feature a data transfer rate of 10.7 GT/s as well as maximum capacity per stack of 32 GB. This allows Samsung's clients to equip their latest smartphones or laptops with 32 GB of low-power memory using just one DRAM package, which greatly simplifies their designs. Samsung says that 32 GB of memory will be particularly beneficial for on-device AI applications.
Samsung is using its latest-generation 12nm-class DRAM process technology to make its LPDDR5X-10700 devices, which allows the company to achieve the smallest LPDDR device size in the industry, the memory maker said.
In terms of power efficiency, Samsung claims that they have integrated multiple new power-saving features into the new LPDDR5X devices. These include an optimized power variation system that adjusts energy consumption based on workload, and expanded intervals for low-power mode that extend the periods of energy saving. These innovations collectively enhance power efficiency by 25% compared to earlier versions, benefiting mobile platforms by extending battery life, the company said.
“As demand for low-power, high-performance memory increases, LPDDR DRAM is expected to expand its applications from mainly mobile to other areas that traditionally require higher performance and reliability such as PCs, accelerators, servers and automobiles,” said YongCheol Bae, Executive Vice President of Memory Product Planning of the Memory Business at Samsung Electronics. “Samsung will continue to innovate and deliver optimized products for the upcoming on-device AI era through close collaboration with customers.”
Samsung plans to initiate mass production of the 10.7 GT/s LPDDR5X DRAM in the second half of this year. This follows a series of compatibility tests with mobile application processors and device manufacturers to ensure seamless integration into future products.
SK hynix this week announced plans to build its advanced memory packaging facility in West Lafayette, Indiana. The move can be considered as a milestone both for the memory maker and the U.S., as this is the first advanced memory packaging facility in the country and the company's first significant manufacturing operation in America. The facility will be used to build next-generation types of high-bandwidth memory (HBM) stacks when it begins operations in 2028. Also, SK hynix agreed to work on R&D projects with Purdue University.
"We are excited to become the first in the industry to build a state-of-the-art advanced packaging facility for AI products in the United States that will help strengthen supply-chain resilience and develop a local semiconductor ecosystem," said SK hynix CEO Kwak Noh-Jung.
The facility will handle assembly of HBM known good stacked dies (KGSDs), which consist of multiple memory devices stacked on a base die. Furthermore, it will be used to develop next-generations of HBM and will therefore house a packaging R&D line. However, the plant will not make DRAM dies themselves, and will likely source them from SK hynix's fabs in South Korea.
The plant will require SK hynix to invest $3.87 billion, which will make it one of the most advanced semiconductor packaging facilities in the world. Meanwhile, SK hynix held the investment agreement ceremony with representatives from Indiana State, Purdue University, and the U.S. government, which indicates parties financially involved in the project, but this week's event did not disclose whether SK hynix will receive any money from the U.S. government under the CHIPS Act or other funding initiatives.
The cost of the facility significantly exceeds that of packaging facilities built by other major players in the industry, such as ASE Group, Intel, and TSMC, which highlights how significant of an investment this is for SK hnix. In fact, $3.87 billion higher than advanced packaging CapEx budgets of Intel, TSMC and Samsung in 2023, based on estimates from Yole Intelligence.
Given that the fab comes online in 2028, based on SK hynix's product roadmap we'd expect that it will be used at least in part to assemble HBM4 and HBM4E stacks. Notably, since HBM4 and HBM4E stacks are set to feature a 2048-bit interface, their packaging process will be considerably more complex than the existing 1024-bit HBM3/HBM3E packaging and will require usage of more advanced tools, which is why it is poised to be more expensive than some existing advanced packaging facilities. Due to the extremely complex 2048-bit interface, many chip designers who are going to use HBM4/HBM4E are expected to integrate it directly onto their processors using hybrid bonding and not use silicon interposers. Unfortunately, it is unclear whether the SK hynix facility will be able to offer such service.
HBM is mainly used for AI and HPC applications, so it is strategically important to have its production in the U.S. Meanwhile, actual memory dies will still need to be made elsewhere, at dedicated DRAM fabs.
In addition to support set to be provided by state and local governmens, SK hynix chose to establish its new facility in West Lafayette, Indiana, to collaborate with Purdue University as well as with Purdue's Birck Nanotechnology Center on R&D projects, which includes advanced packaging and heterogeneous integration.
SK hynix intends to work in partnership with Purdue University and Ivy Tech Community College to create training programs and multidisciplinary degree courses aimed at nurturing a skilled workforce and establishing a consistent stream of emerging talent for its advanced memory packaging facility and R&D operations.
"SK hynix is the global pioneer and dominant market leader in memory chips for AI," Purdue University President Mung Chiang said. "This transformational investment reflects our state and university's tremendous strength in semiconductors, hardware AI, and hard tech corridor. It is also a monumental moment for completing the supply chain of digital economy in our country through chips advanced packaging. Located at Purdue Research Park, the largest facility of its kind at a U.S. university will grow and succeed through innovation."
SK Hynix said that it had started volume production of its HBM3E memory and would supply it to a customer in late March. The South Korean company is the second DRAM producer to announce mass production of HBM3E, so the market of ultra-high-performance memory will have some competition, which is good for companies that plan to use HBM3E.
According to specifications, SK Hynix's HBM3E known good stack dies (KGSDs) feature data transfer rates up to 9.2 GT/s, a 1024-bit interface, and a bandwidth of 1.18 TB/s, which is massively higher than the 6.4 GT/s and 819 GB/s offered by HBM3. The company does not say whether it mass produces 8Hi 24GB HBM3E memory modules or 12Hi 36GB HBM3E devices, but it will likely begin its HBM3E ramp from lower-capacity products as they are easier to make.
We already know that SK Hynix's HBM3E stacks employ the company's advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-RUF) technology, which promises to reduce heat dissipation by 10%. This technology involves the use of an enhanced underfill between DRAM layers, which not only improves heat dissipation but also reduces the thickness of HBM stacks. As a result, 12-Hi HBM stacks can be constructed that are the same height as 8-Hi modules. However, this does not necessarily imply that the stacks currently in mass production are 12-Hi HBM3E stacks.
Although the memory maker does not officially confirm this, SK Hynix's 24GB HBM3E stacks will arrive just in time to address NVIDIA's Blackwell accelerator family for artificial intelligence and high-performance computing applications.
"With the success story of the HBM business and the strong partnership with customers that it has built for years, SK Hynix will cement its position as the total AI memory provider," said Sungsoo Ryu, Head of HBM business at SK Hynix. As a result, NVIDIA will have access to HBM3E memory from multiple suppliers with both Micron and SK Hynix.
Meanwhile, AMD recently confirmed that it was looking forward to expanding its Instinct MI300-series lineup for AI and HPC applications with higher-performance memory configurations, so SK Hynix's HBM3E memory could also be used for this.
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